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MZ-75E1T0B/EU SAMSUNG

Referencia Código AFM: 110203
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Descripción

Detalles

MZ-75E1T0B/EU SAMSUNG

Arquitectura 3D V-NAND
La exclusiva e innovadora arquitectura Samsung 3D V-NAND supone una revolución en el mundo de las memorias flash en términos de densidad, rendimiento y resistencia. Las memorias 3D V-NAND se fabrican apilando verticalmente 32 capas de celdas. Así, se consigue mayor densidad y rendimiento con un menor consumo energético.

Trabaja más rápido gracias a TurboWrite
La tecnología TurboWrite te ofrece una óptima experiencia de usuario gracias a su gran rendimiento de lectura / escritura. La unidad SSD 850 EVO de Samsung proporciona una velocidad secuencial de lectura de 540 MB/s y de escritura de 520 MB/s, las más altas dentro de su categoría. Además, mejorará el rendimiento general en todos los QD de tu ordenador. Disfruta de una experiencia de usuario un 10% más satisfactoria* que con la anterior SSD 840 EVO, así como un 1,9x más rápida que en los anteriores modelos de 120 / 250 GB**.
*PCmark7 (250 GB ): 6.700 (840 EVO) > 7.600 (850 EVO)
**Escritura aleatoria (QD32, 120 GB): 36.000 IOPS (840 EVO) > 88.000 IOPS (850 EVO)

Potencia y rendimiento
El software Magician de esta unidad SSD ofrece el doble de rendimiento* en el procesado de datos al utilizar la memoria DRAM libre del ordenador como memoria caché. El nuevo software de Samsung es capaz de mejorar el uso de memoria máximo en el modo de RAPID, desde 1 GB (lo que ofrecía la versión 840 EVO), hasta los 4 GB que ofrece el modelo 850 EVO, con solo implementar 16 GB de DRAM. Además, disfrutarás del doble de potencia* en cualquier QD aleatorio.
*PCMARK7 RAW (250 GB): 7.500 > 15.000 (Rapid mode)

Resistencia garantizada
Las unidades SSD 850 EVO duplican el TBW* de la anterior generación 840 EVO**. Proporcionan un rendimiento constante mejorado de hasta el 30% a pesar de la degradación, demostrando ser una de las unidades SSD más fiables del mercado***. Cuentan con 5 años de garantía.
*TBW: Bytes totales escritos
**TBW: 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 / 250 GB), 150 (850 EVO 500 / 1 TB)
***Rendimiento constante 250 GB): 3.300 IOPS (840 EVO) > 6.500 IOPS (850 EVO), Rendimiento medido tras un test de “escritura aleatoria” de 12 horas.

Trabaja por más tiempo
Trabaja en tu portátil durante mucho más tiempo. La unidad SSD 850 EVO es un 25% más eficiente que el modelo 840 EVO anterior durante el proceso de escritura* gracias a que la nueva memoria flash 3D V-NAND consume la mitad de energía que la anterior memoria Planar 2D NAND.
*Consumo (250 GB): 3,2 Watt (840 EVO) > 2,4 Watt (850 EVO)

Caracteristicas:
Protege tus datos con una encriptación más segura
-La unidad SSD 850 EVO cuenta con un motor de encriptado basado en hardware AES de 256 bits que mantendrá a salvo tu información sin reducir el rendimiento, cumpliendo con la normativa TCG Opal 2.0. Además, es totalmente compatible con Microsoft e-drive IEEE1667, por lo que tu información estará siempre segura.

Olvídate del sobrecalentamiento
-La protección Dynamic Thermal Guard de la unidad SSD 850 EVO mantiene la temperatura óptima para proteger la integridad de tus datos. La temperatura disminuye si se detecta un sobrecalentamiento, asegurando así la máxima protección de tu equipo.

Instalación sencilla
-Migra todos tus datos y aplicaciones desde tu disco duro a la nueva unidad SSD 850 EVO en tres sencillos pasos. Gracias al software Samsung Magician optimizarás y gestionarás tu sistema de la forma más eficiente.

Componentes de la mayor calidad
-Samsung es el único fabricante de unidades SSD que diseña y fabrica directamente todos los componentes. Así, puede garantizar que sus tarjetas ofrecen un increíble rendimiento, bajo consumo con hasta 1 GB de memoria caché LPDDR2 DRAM y la máxima eficiencia energética gracias al controlador MEX / MGX.

Especificaciones:
Características Generales
-Aplicación: Cliente PCs
-Capacidad: 1.000 GB * La capacidad real puede ser menor
-Formato: 2,5"
-Interfaz: Interfaz SATA 6 Gb/s, compatible con el interfaz SATA 3 Gb/s & SATA 1,5 Gb/s
-Dimensión: 100 x 69,85 x 6,8 mm
-Peso: Max 66 g
-Memoria de almacenamiento: Samsung 32 layer 3D V-NAND
-Controlador: Samsung MEX
-Memoria Cache: Samsung 1 GB Low Power DDR3 SDRAM

Características especiales
-Soporte TRIM: Soportado
-Soporte S.M.A.R.T: Soportado
-GC (Garbage Collection): Algoritmo Auto Garbage Collection
-Soporte de Encriptación: Encriptación AES 256 bit (Clase 0), TCG / Opal, IEEE1667
-Soporte WWN: World Wide Name Soportado
-Soporte de Dispositivo en modo sleep: Sí

Rendimiento
-Lectura secuencial: Lectura secuencial de hasta 540 MB/seg * El rendimiento puede variar en base al hardware y a la configuración del sistema
-Escritura secuencial: Escritura secuencial de hasta 520 MB/seg * El rendimiento puede variar en base al hardware y a la configuración del sistema
-Lectura aleatoria (4KB, QD32): Lectura aleatoria de hasta 98.000 IOPS * El rendimiento puede variar en base al hardware y a la configuración del sistema
-Escritura aleatoria (4KB, QD32): Escritura aleatoria de hasta 90.000 IOPS * El rendimiento puede variar en base al hardware y a la configuración del sistema
-Lectura aleatoria (4KB, QD1): Lectura aleatoria de hasta 10.000 IOPS * El rendimiento puede variar en base al hardware y a la configuración del sistema
-Escritura aleatoria (4KB, QD1): Escritura aleatoria de hasta 40.000 IOPS * El rendimiento puede variar en base al hardware y a la configuración del sistema

Ambiente
-Media de consumo de energía (nivel de sistema): 4 Watts *Máximo: 4,4 Watts (Burst mode) * El consumo puede variar en base al hardware y a la configuración del sistem
-Consumo de energía (inactivo): Max. 50 mWatts * El consumo puede variar en base al hardware y a la configuración del
-Tensión admisible: 5 V ± 5%
-Confiabilidad (MTBF): 1,5 Millones de horas (MTBF)
-Temperatura operativo: 0 - 70 °C
-Shock: 1.500 G & 0,5 ms

Software
-Management SW: Magician Software para la gestión SSD

EAN: 8806086523042


El producto se servirá con las características técnicas y complementos descritos por el fabricante, la imagen puede variar con respecto al producto final entregado.

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