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SSD 850 EVO 120GB MZ-N5E120BW SAMSUNG

Referencia Código AFM: 125938
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Descripción

Detalles

Características:
3D V-NAND Tecnología
V-NAND arquitectura de memoria flash innovadora 3D de Samsung breaksthrough densidad, las limitaciones de rendimiento y resistencia de la arquitectura plana NAND convencional de hoy. Samsung 3D V-NAND pilas de 32 capas de células resultante verticalmente en una mayor densidad y mejor rendimiento que utiliza un diseño más compacto.

Tecnología TurboWrite
Lograr increíble rendimiento de lectura / escritura para maximizar su experiencia informática diaria con la tecnología TurboWrite de Samsung. Puede obtener hasta 2 veces más rápido velocidades de lectura y escritura al azar que el galardonado Samsung 840 EVO. El EVO 850 ofrece un rendimiento líder en su clase * en lectura secuencial (540 MB / s) y escribir (500 MB / s) velocidades. Además, el aumento de rendimiento optimizado de azar en todo el QD para un mejor desempeño en el mundo real.

Modo de RAPID
Mago de software de Samsung permite a modo de RAPID para hasta 2 veces más rápido rendimiento * mediante la utilización de la memoria del PC sin usar (DRAM) como una memoria caché de alta velocidad. La versión más reciente de Samsung Mago soporta hasta una caché de 4 GB en un sistema con 16 GB de memoria DRAM.

Resistencia mejorada y fiabilidad
El EVO 850 duplica la resistencia y la fiabilidad en comparación con la generación anterior 840 EVO y cuenta con una garantía de 5 años líder en su clase. Con una mayor fiabilidad a largo plazo, la 850 EVO asegura un rendimiento fiable a largo plazo de hasta un 30% más larga que la anterior generación 840 EVO.

Especificaciones:
-Tipo de producto: M.2
-Interfaz: SATA de 6 Gb / s interfaz, compatible con la interfaz SATA de 3 Gb / s y SATA 1.5Gb / s
-Capacidad: 120 GB (1 GB = 1 Billionbyte por IDEMA)
-Secuencial velocidad de lectura: Hasta 540 MB / s de lectura secuencial
-Velocidad de escritura secuencial: Hasta 500 MB / seg escritura secuencial

Velocidad de la memoria
-Samsung 32 V capa 3D-NAND de Samsung 512 MB de SDRAM DDR3 de baja potencia
-Capacidad: 120 GB (1 GB = 1 Billionbyte por IDEMA)

-Secuencial velocidad de lectura: Hasta 540 MB / s de lectura secuencial

Velocidad de escritura secuencial
-Hasta 500 MB / seg escritura secuencial: El rendimiento puede variar en función del hardware y configuración del sistema

Velocidad de lectura aleatoria
-Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 97.000 IOPS de lectura aleatoria
-De lectura aleatoria (4KB, QD1): hasta 10.000 IOPS de lectura aleatoria

Velocidad de escritura aleatoria
-Random Write (4 KB, QD32): hasta 89.000 IOPS de escritura aleatoria: El rendimiento puede variar en función de la configuración de hardware del sistema y escritura aleatoria (4KB, QD1): hasta 40.000 IOPS de escritura aleatoria
-Rendimiento: puede variar en función del hardware y configuración del sistema

Velocidad de la memoria
-Samsung 32 V capa 3D-NAND de Samsung 512 MB de SDRAM DDR3 de baja potencia

Controlador
-Controlador MGX Samsung
-Soporte TRIM: Sí
-EL cifrado AES: El cifrado AES de 256 bits (clase 0), TCG / Opal, IEEE1667 (duro codificado)
-Asistencia técnica de SMART: Sí
-GC (GARBAGE COLLECTION): Garbage Collection Auto Algoritmo
-Soporte WWN: World Wide Name apoyado
-Dispositivo de soporte, el modo de suspensión: Sí

Consumo de energía (W): 50 milivatios
-Voltaje: 3V ± 5% Tensión admisible
-Fiabilidad (MTBF):1,5 millones de horas de fiabilidad (MTBF)

Especificaciones del entorno
-Temperatura de funcionamiento:32ºF - 158ºF
-Choque: 1.500 g y 0,5 ms (Semiseno)
-Factor de forma
-Dimensiones (W x D x H): 3,16 "x 0,87" x 0,06 "
-Peso: 0.26 lb.

EAN: 8806086587327


El producto se servirá con las características técnicas y complementos descritos por el fabricante, la imagen puede variar con respecto al producto final entregado.

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